Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2-01

Рубрики:

Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проанализированы электрические и фотоэлектрические свойства выпрямляющих структур различного типа (поверхностно-барьерные диоды, p-n-гомопереходы и гетеропереходы) на базе моноселенидов галлия и индия. Обсуждены влияние параметров базовых материалов на основные технические характеристики и параметры диодов, а также возможные пути их улучшения.

The forming mechanisms of dark and light properties straightening structures with different type based on the indium and gallium monoselenides were considered.

Досліджено вплив інтеркаляції воднем моноселеніду індію на електричні властивості фоточутливих структур на його основі типу метал-діелектрик-напівпровідник (МДН) та діода Мота (ДМ). Установлено, що інтеркаляція воднем базового напівпровідника приводить до покращення діодних властивостей МДН-структури, і погіршення - для ДМ. Проведено аналіз механізмів струмопереносу для обох типів структур на основі їх зонних діаграм.

The influence of hydrogen intercalation on indium monoselenide is investigated measuring electrical properties of based on it photosensitive structures to metal-insulator-semiconductor (MIS) and Mott diode (MD). It is established that intercalation ofthe basic semiconductor with hydrogen leads to the improvement of diodic properties of the MIS structures whereas those for the DM structure becomes worse. For the both structures current transport mechanisms are analyzed on the basis of their band diagrams

Ключ. слова: СuInSe2, бар'єр Шоткі, вольт-амперні характеристики, фотовольтаїчний ефект
Індекс рубрикатора НБУВ: В374

Рубрики:

Оптичні властивості твердих тіл. Оптичні властивості кристалів (кристалооптика)

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

В широкой спектральной области исследовано явление фотоплеохроизма в гетеропереходах оксид-p-InSe и n+-In2O3-p-GaSe. Максимальные значения коэффициента фотоплеохроизма (в Іn2O3-GaSe он достигает 65%, а в оксид-ІnSe - 40%) получены для краевого поглощения света кристаллами, которое совпадает с длинами волн излучения соответственно красного рубинового (?=0,6328 мкм) и инфракрасного неодимового (?=1,06 мкм) лазеров. Исследованные гетеропереходы могут быть использованы для упрощения регистрации азимутальной ориентации плоскополяризованного света.

In oxide-p-InSe and n+-In2O3-p-GaSe heterojunctions the photopleochroism effect is investigated in a wide spectral range. Maximum values of the photopleochroism coefficient (in the Іn2O3-GaSe heterojunction it achieves 65% and in the oxide-ІnSe one it is 40%) are obtained for the edge absorption with the crystals. It coincides with the radiation wave-lengths of red ruby (?=0,6328 ?m) and infrared neodymium (?=1,06 ?m) lasers. A monotonous decrease of polarization photosensitivity takes place in a depth of the fundamental absorption band.

Досліджено основні фотоелектричні властивості анізотропних гетеропереходів, одержаних термічним окисненням монокристалічних підкладинок. Залежності напруги холостого ходу та струму короткого замикання від рівня освітленості пояснюються у межах теорії лінійної генерації фотоносіїв з урахуванням фотопровідності високоомної бази діодної структури. Фотострум зумовлений генерацією нерівноважних носіїв під дією опромінення в області просторового заряду гетеропереходу через локальні глибокі центри.

The basic photoelectric characteristics of the anisotropic heterojunctions that were created by a thermal oxidizing of monocrystal substrates was investigated. Influence of a floating voltage and a short-circuit current on a illumination level explains within the framework of the linear generation theory of photocarriers. A photoconduction of high-resistance basis of the diode structure is taking in to account. The photocurrent is caused by generation of nonequilibrium carriers at illumination in thespatial charge area of a heterojunction through local deep centers

Ключ. слова: гамма-облучение, фотодиод, p-n-InSe, окисел-p-InSe.
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-01

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: FeIn2Se4, InSe, гетеропереход, фотоэлектрические параметры
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: гетероструктура, pЦn-InSe, пленка InS
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33 + З854

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: источники тока, разряд, токообразующие реакции, спектры импеданса.
Індекс рубрикатора НБУВ: З251

Рубрики:

Хімічні джерела струму

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: GaSe, InSe, гетероперехід, вольт-амперні характеристики, емісія Шотткі
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377

Рубрики:

Електричні та магнітні властивості твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.3

Рубрики:

Магнітні властивості твердих тіл. Магнетики

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: шаруваті напівпровідники, гетероперехід, вольт-амперні характеристики, вольт-фарадні характеристики, від'ємна диференційна провідність, резонансне тунелювання
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.6 + В379.2

Рубрики:

Оптичні напівпровідникові прилади

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: p-InSe, p - n-перехід, вольт-амперні характеристики, фотовольтаїчний ефект
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21

Рубрики:

р-n переходи

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Получены одностенные углеродные нанотрубки диаметром 1,3 - 1,8 нм. Впервые изучен вклад в спектры электронного парамагнитного резонанса от изолированных (или слабовзаимодействующих) магнитных нановключений и ансамбля таких включений. Разработана технология создания суперконденсаторов на основе слабо диспергированного материала и получены экспериментальные образцы в корпусе "2325" с удельной емкостью 15 Ф/г.

Ключ. слова: атомный силовой микроскоп, слоистые материалы, квантовые точки, формирование наноструктур
Індекс рубрикатора НБУВ: К235.220.21 + В371.236

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.271.7

Рубрики:

Діелектричні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ